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东芝获新型NAND闪存秘技容量速度均翻番
2005年11月21日 14:14  来源:E代电子

    全球第二大NAND闪存厂商日本东芝公司已经研发出了一种下一代NAND闪存的新技术,东芝公司希望借此能够冲破闪存“大佬”韩国三星电子的压制。 

    据近日的《日经商报》报道,东芝公司已经研发出了一种名为“单元多层存储(Multilevel Cell)”技术,它可以在一个存储单元存储两个Bit的数据,比传统的容量增加了一倍。 

    据悉,这项技术并非东芝首创,此前德国存储芯片巨头英飞凌谈论“单元多层存储”技术已经有些时日。而据信,闪存巨头三星电子目前尚未研发出这种新技术。媒体分析指出,如果东芝能够早于三星之前采用最新技术生产NAND闪存产品,三星目前占据半壁江山的“老大”地位有可能遭到东芝的威胁。 

    《日经商报》的报道说,东芝公司的目标是在2006年使用55纳米工艺生产NAND闪存芯片,这种闪存的独写速度也有望比目前翻一番。 

    最近,美国芯片市场调研公司iSuppli发布了今年第三季度全球闪存市场报告,数据显示三星电子以50%的市场占有率稳居“老大”地位,东芝公司的市占率则为22.8%。三星和东芝还面临两个后起之秀的威胁:美国美光和韩国现代,这两家公司目前的市占率都很小,但销售收入增速惊人,其中美光比二季度增长4倍。

 

 
 [关键词]:东芝 NAND 闪存  发表评论    【推荐】 【打印

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